RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
63
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2386
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link