RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
46
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.0
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
40
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2965
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link