RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3341
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link