RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
50
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3306
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link