RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
50
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3306
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link