RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
82
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
82
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
1930
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link