RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
50
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3017
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link