RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
50
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3017
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link