RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
23.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
50
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
19.4
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
23.1
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
19.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
4380
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link