RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
50
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3211
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
KingSpec KingSpec 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link