RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
87
Wokół strony -118% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
40
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3034
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology ADOPE1B163B2 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
INTENSO 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link