RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
80
87
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
80
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
1775
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link