RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
87
Wokół strony -211% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2481
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link