RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
87
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
50
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2386
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link