RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
87
En -74% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
50
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2386
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link