RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
75
96
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
75
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1763
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link