RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
75
96
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.1
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
75
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
1763
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link