RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
71
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
71
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2354
1902
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link