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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
71
Por volta de 63% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
14.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
71
Velocidade de leitura, GB/s
14.1
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
8.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2354
1902
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Comparações de RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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