RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Comparar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
52
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.9
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.7
1,145.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
4200
Por volta de 4.05 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,614.5
22.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,145.9
17.7
Largura de banda de memória, mbps
4200
17000
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
409
3962
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link