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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
80
Por volta de 70% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
80
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.0
8.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2445
1775
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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