RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB против Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
80
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
80
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
14.7
Скорость записи, Гб/сек
11.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
1775
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link