Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Maior largura de banda de memória, mbps

17000 12800

Por volta de 1.33% maior largura de banda

Razões a considerar
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

31 35

Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

10.1 9.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

10.0 7.9

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2126 2326

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns