RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Comparar
Kingston KVR533D2N4 512MB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Pontuação geral
Kingston KVR533D2N4 512MB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR533D2N4 512MB
Relatar um erro
Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
75
Por volta de -150% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
1,672.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
4200
Por volta de 6.1 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
30
Velocidade de leitura, GB/s
1,943.5
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,672.1
10.6
Largura de banda de memória, mbps
4200
25600
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
301
3026
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparações de RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link