RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Comparar
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
43
Por volta de -95% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.5
6.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
22
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
6.9
18.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1647
4324
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G6E1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link