RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Comparar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,107.0
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
58
Por volta de -164% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
13.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
2648
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link