RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Comparar
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
26
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
13.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1952
2545
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link