RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
73
Por volta de 49% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
13.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
73
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
1724
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link