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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
10.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.5
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1932
1570
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
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Frequency (Mhz) *
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