RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Pontuação geral
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
68
Por volta de 62% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
13.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
68
Velocidade de leitura, GB/s
13.5
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1932
1812
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link