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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
43
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
26
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
10.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2480
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
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