RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
32
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3098
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905402-532.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link