RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
52
Por volta de 56% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
2,384.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
10600
6400
Por volta de 1.66% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
13.4
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR2
Latência em PassMark, ns
23
52
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
5,635.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
2,384.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
6400
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
1037
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link