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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
52
左右 56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
2,384.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
10600
6400
左右 1.66% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
13.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR2
PassMark中的延时,ns
23
52
读取速度,GB/s
13.4
5,635.1
写入速度,GB/s
8.0
2,384.7
内存带宽,mbps
10600
6400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
1037
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB RAM的比较
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
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