RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3409
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB Comparações de RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link