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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
12.8
18.3
写入速度,GB/s
9.0
14.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3409
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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Mushkin 991586 2GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KVR800/4G 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
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