RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3535
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
INTENSO 5641162 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link