RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
28
Velocità di lettura, GB/s
12.8
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3535
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link