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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Pontuação geral
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Pontuação geral
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Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 13.6
    Valor médio nos testes
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Razões a considerar
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
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  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    77 left arrow 104
    Por volta de -35% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    6.9 left arrow 2,404.5
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 6400
    Por volta de 3 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    104 left arrow 77
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,192.0 left arrow 13.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,404.5 left arrow 6.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    786 left arrow 1549

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
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Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Memória RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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