RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
77
104
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
77
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1549
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link