RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
48
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
31
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3179
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link