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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
48
Por volta de -85% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.9
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
48
26
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
12.9
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
8.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
12800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2128
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
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