RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
48
Por volta de -109% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
23
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2495
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link