RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
48
Por volta de -109% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
23
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
12.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3227
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link