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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
48
Por volta de -140% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
20
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
15.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3234
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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