RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
48
Por volta de -153% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.1
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
19
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
18.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3905
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1333 CL9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link