RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
40
Por volta de -60% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
11.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2681
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link