RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
38
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.9
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
38
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
12.9
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
10.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2690
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link