RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
38
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.9
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
38
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
12.9
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2690
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link