RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
38
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.9
6.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.6
16.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1406
3859
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston KHX2133C11S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link