RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3859
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston K1N7HK-HYC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link