RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
46
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
1,852.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
30
Velocidade de leitura, GB/s
5,535.6
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,852.4
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
3257
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link